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Vishay推出高性能60 V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

文章来源:【互联网】 作者:【*】 点击:次 时间:2019/2/21 11:05:22

器件采用PowerPAK? SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平

2019年2月21日,日前Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

Vishay推出高性能60 V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

SiR626DP改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周,视市场情况而定。


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