您正在访问: 网站首页 >> 资讯中心 >> 新品发布 >> 正文

三星计划2021年量产采用3nm制程节点的GAA电晶体

文章来源:【互联网】 作者:【*】 点击:次 时间:2018/6/1 9:27:48


三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)电晶体。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上,这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(EUV)微影开始7nm生产的计划。

自2000年代初以来,三星和其他公司一直在开发GAA技术。GAA电晶体是场效电晶体(FET),在通道的四个侧面都有一个闸极,用于克服FinFET的实体微缩和性能限制,包括供电电压。

Samsung Foundry市场副总裁Ryan Sanghyun Lee表示,自2002年以来,三星专有的GAA技术被称为多桥通道FET (MBCFET)。据该公司介绍,MCBFET使用纳米片元件来增强闸极控制,显著提高电晶体的性能。

三星去年曾经说计划在2020年开始使用4nm节点的GAA电晶体。然而,业界观察家预计GAA要到2022年之后才能投产。

Gartner的代工厂研究副总裁Samuel Wang预计,三星将在2022年左右正式量产GAA电晶体。Wang说:“但看起来他们的进展速度比预期更快。”

Kevin Krewell说:“三星的发展蓝图十分积极,我知道他们在EUV上进展迅速,但也在这方面设置了很高的门槛。”

但是,Krewell补充说:“仍然有其他转寰办法,而且时间表可能有所变动。”

去年6月,IBM与其研究联盟合作伙伴三星和Globalfoundries在日本京都举办的2017年超大型积体电路技术和电路会议专题讨论会(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits conference)上,描述他们为基于堆叠纳米片制造5nm GAA电晶体而开发的程。据了解,包括英特尔(Intel)和台积电(TSMC)等其他晶片制造商正在开发越FinFET但类似于GAA FET的自家下一代电晶体。

三星重申计画在今年下半年开始使用EUV微影技术实现量产的计划,它将采用其7nm Low Power Plus制程进行制造。三星预计将成为第一家将业界多年来寄予厚望的EUV投入商业化生产的晶片制造商。台积电和Globalfoundries宣布计画于2019年开始使用EUV进行商业化生产。

虽然微影工具供应商ASML和先进晶片制造商们证实能够克服多年来困扰EUV发展的光源问题,但以商用量产部署EUV所需的支援技术仍在开发和调整之中。

Samsung Foundry首席工程师Yongjoo Jeon表示,三星将使用内部开发的EUV光罩检测工具。对于三星来说,这是一个重要的优势,因为还没有类似的商业工具被开发出来,Jeon补充道。

Jeon表示,三星将率先部署EUV,但是在未采用保护EUV光罩免受颗粒污染的防尘薄膜情况下,这是另一项仍在开发中的技术。Jeon说,三星在EUV薄膜开发方面正取得进展,而且他相信该公司最终可将该技术部署在自家EUV的生产过程中。

三星也在开发EUV微影光阻剂,并有望在今年稍晚达到大规模量产要求的目标良率,Jeon说。




< 1 >
关注有惊喜!
中国工业电器网:此内容转载于合作媒体或互联网其它网站,中国工业电器网登载此文出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其描述
新闻、技术文章投稿QQ:928246603 邮箱:news@cnelc.com

网友评论已有人参与评论

用户登录  注册新用户  忘记密码?

本站声明:严禁任何单位和个人模仿、转载、抄袭及冒名中国工业电器网(cnelc.com)

中国工业电器网 | 诚聘英才 | 关于我们 | 会员服务 | 广告服务| 意见/业务 | 帮助中心 | 在线投稿 | 友情链接 | 联系我们 |网站地图

客服:点击这里给我发消息展会合作:点击这里给我发消息 会员合作:点击这里给我发消息 广告合作:点击这里给我发消息 战略合作:点击这里给我发消息 新闻投稿:点击这里给我发消息

中国工业电器网服务热线:400-688-6377 合作电话:021-39983999 传真:021-39983888 邮编:201812 信箱:cn@cnelc.com新闻投稿邮箱:news@cnelc.com

上海总公司地址:上海 金园一路999号(中国工业电器大厦) 法律顾问:浙江海昌律师事务所 江律师

上海易电网络科技有限公司 版权所有 2012-2020

沪ICP备10003932号-15