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富士7MBP35VDA120-50功率IGBT模块 厂家直销 欢迎选购

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。
大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,已制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。
本公司专业代理功率半导体产品及配套器件、是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象,同时硅晶与多家电力电子行业龙头企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系,也是众多知名国外品牌: 英飞凌、西门康、三菱、富士,IXYS、SANREX、ABB、WESTCODE等其他产品 的优质诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验,硅晶、人积累了坚实专业的功率半导体应用知识,为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善专业的解决方案,为客户提供技术支持! 代理品牌 1、Infineon(英飞凌)、FUJI(富士)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、全系列IGBT产品; 2、Infineon(英飞凌)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾克赛斯)、SANREX(三社)、WESTCODE(西码) IR(美国国际整流器)、VISHAY(威士)、全系列可控硅、整流桥、二极管模块,西门子熔断器、美国Bussmann熔断器,固态电器等品牌。型号全 质量上乘,价格优惠,欢迎咨询!
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苏州麒辉电子科技有限公司

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